据Digitimes报道，长江存储已着手建设一条仅完全依赖国产设备的的试验线，预计于2025年下半年开始试产。此举被视为中国半导体产业摆脱外部技术依赖、实现自主可控的关键里程碑。
在这一雄心勃勃的计划背后，是其激进的产能扩张目标。长江存储计划在2025年将月产能提升至15万片晶圆，并力争在2026年底占据全球NAND闪存市场15%的份额。这一数字若能实现，长江存储将从全球闪存市场的Game Player变成Game Changer。
技术碾压，三星、海力士“拜师”长存，全球供应面临革新
长江存储的底气不仅来自产能扩张，更源于其领先的技术实力。其自主研发的Xtacking混合键合技术，使其在3D NAND堆叠层数上持续突破。目前，长江存储已成功量产294层NAND产品，其技术水平与三星、SK海力士等国际巨头并驾齐驱，后两者目前量产的最高层数分别为321层和286层。
值得注意的是，当堆叠层数超过400层时，行业普遍面临物理极限带来的可靠性挑战。为此，三星、海力士等巨头纷纷转向W2W混合键合技术，而这正是长江存储早在四年前便开始大规模应用并持续迭代的Xtacking技术。
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此前，韩国媒体ZDNet Korea报道称，三星电子与长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND混合键合专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。预计将用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。
中国“闪存航母”正式出港，世界准备好了吗？
2025年的试产不仅是对中国本土半导体设备产业链的一次大考，更是其吹响全面进军全球市场的号角。
一旦全国产设备生产线顺利量产，长江存储的扩产将彻底摆脱外部设备的制约，其成本优势和供应稳定性将得到极大增强。这将直接冲击现有的全球NAND Flash供给结构，可能引发新一轮的价格竞争，并为全球客户提供一个极具吸引力的新选择，从而加速市场份额的重新分配。返回搜狐，查看更多